[发明专利]应力增强的FINFET器件

摘要

本发明涉及应力增强的finFET器件。具有增强的应变的非平面半导体包括衬底以及形成在所述衬底的表面上的至少一个半导电鳍。栅极叠层形成在所述至少一个半导电鳍的一部分上。应力衬里形成在所述栅极叠层和所述至少一个半导电鳍的多个侧壁中的至少每一个侧壁之上。所述应力衬里至少向所述至少一个半导电鳍的沟道区、源极区和漏极区赋予应力。所述沟道区位于所述栅极叠层下方的至少一个半导电鳍中。

主权项

一种制造非平面半导体结构的方法，所述方法包括：在半导体衬底的表面上形成至少一个半导电鳍，其中栅极叠层位于所述至少一个半导电鳍的一部分上；至少在所述至少一个半导电鳍的多个侧壁中的每一个侧壁上外延生长半导体材料；在外延生长所述半导体材料之后，在所述至少一个半导电鳍的侧壁区中形成源极区和漏极区；在形成所述源极区和漏极区之后，去除所述外延生长的半导体材料；以及在去除了所述外延生长的半导体材料之后，至少在所述栅极叠层和所述至少一个半导电鳍的所述多个侧壁中的每一个侧壁之上且至少与所述栅极叠层和所述每一个侧壁接触地形成应力衬里，其中所述应力衬里向所述至少一个半导电鳍的沟道、所述源极区和所述漏极区赋予应力，其中所述沟道位于所述栅极叠层下方。