[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410094909.8 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051437B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | M.克努德森;T.迈尔;S.马鲁塔姆图;A.沃尔特;G.赛德曼;P.赫雷罗;P.贾埃维南 | 申请（专利权）人： | 英特尔IP公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 吕传奇,胡莉莉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括芯片；至少部分地围绕所述芯片并且具有配置成接收第一电容性耦合结构的接收区的芯片封装结构；布置在所述接收区中的第一电容性耦合结构；以及布置在所述第一电容性耦合结构之上并且电容性地耦合到所述第一电容性耦合结构的第二电容性耦合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：芯片；至少部分地围绕所述芯片并且具有配置成接收第一电容性耦合结构的接收区的芯片封装结构；布置在所述接收区中的第一电容性耦合结构；以及布置在所述第一电容性耦合结构之上并且电容性地耦合到所述第一电容性耦合结构的第二电容性耦合结构；其中所述第一电容性耦合结构包括天线耦合元件并且所述第二电容性耦合结构包括天线或测试探针。
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