[发明专利]存储器及存储器的读取方法有效
| 申请号： | 201410083968.5 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811062B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器及存储器的读取方法。所述存储器的读取方法包括施加0V电压至目标存储单元连接的源线，施加正电压值的第一读取电压至所述目标存储单元连接的字线，施加负电压值的第二读取电压至所述目标存储单元连接的第一控制栅线和第二控制栅线；通过读取电路读取所述目标存储单元连接的位线上的电流。本发明技术方案提供的存储器及存储器的读取方法，减小了对所述存储器进行读取操作时的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器，其特征在于，包括：存储阵列，包括字线、第一控制栅线、第二控制栅线、位线、源线以及呈阵列排布的存储单元，所述存储单元包括中间电极、第一控制栅极、第二控制栅极、漏极以及源极，所述中间电极连接所述字线，所述第一控制栅极连接所述第一控制栅线，所述第二控制栅极连接所述第二控制栅线，所述漏极连接所述位线，所述源极连接所述源线；行译码器，适于在对所述存储器进行读操作时向所述字线提供正电压值的第一读取电压、向所述第一控制栅线和所述第二控制栅线提供负电压值的第二读取电压，负电压值的第二读取电压减小了存储单元存储数据“0”时的读出电流，当存储单元存储数据“0”时，所述第二读取电压使得读取操作使所述存储单元的导电沟道完全关断；读取电路，适于读取所述存储单元存储的数据，其中，读取电路中的参考电流的电流值等于存储单元存储数据“0”时的读出电流值和存储数据“1”时的读出电流值之和的一半；列选通晶体管，适于连通所述位线和所述读取电路；列译码器，适于控制所述列选通晶体管的导通与截止。
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