[发明专利]一种新型图形化衬底及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410004051.1 申请日: 2014-01-03
公开(公告)号: CN103762287B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 付星星;康凯;廉宗隅;张国义 申请(专利权)人: 东莞市中镓半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523518 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公布了一种新型图形化衬底以及制备方法,该衬底图形为非周期性的阵列结构,图形排布具有长程有序而短程无序的特性,其傅里叶变换呈现高阶转动对称性。本发明的图形衬底可以有效提高GaN基LED的出光效率。本发明制备方法简单易行,与现有的图形化衬底工艺匹配,适用于工业化生产。
搜索关键词: 一种 新型 图形 衬底 及其 制备 方法
【主权项】:
一种图形化衬底,包括衬底本体和覆盖其表面的图形凸起,其特征在于,所述图形凸起呈阵列排布,所述阵列排布呈现长程有序短程无序性;所述图形凸起的排列,包括以等边三角形和正方形单元或等边四边形和正方形单元以某种对称操作方式排列,所述图形凸起阵列排布的傅里叶变换具有高阶转动对称性,其阶数为n,n≥5;所述图形凸起阵列排布的最近邻间距为3‑5微米,所述图形凸起的底部直径为最近邻间距的0.1‑1倍,所述图形凸起的高度为最近邻间距的0.1‑0.8倍。
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