[发明专利]Ⅲ-Ⅴ器件在Si晶片上的集成有效
| 申请号： | 201380079246.6 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105493239B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | S·达斯古普塔;H·W·田;S·H·宋;S·K·加德纳;M·拉多萨夫列维奇;B·舒-金;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在衬底上的沟槽中的多个台面结构上共形地沉积绝缘层。所述绝缘层填充所述台面结构外部的空间。在所述台面结构上沉积成核层。在所述成核层上沉积Ⅲ‑Ⅴ材料层。Ⅲ‑Ⅴ材料层在所述绝缘层上方横向生长。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 台面结构 沉积 材料层 成核层 横向生长 衬底 共形 填充 外部 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造电子器件的方法，包括：围绕衬底上的沟槽中的多个台面结构，共形地沉积第一绝缘层；在所述台面结构上，沉积成核层；以及在所述成核层上，沉积Ⅲ‑Ⅴ材料层，其中，所述Ⅲ‑Ⅴ材料层在所述第一绝缘层之上横向生长，其中，所述台面结构之间的距离由所述Ⅲ‑Ⅴ材料层的横向过度生长速率与纵向生长速率的比率确定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
