[发明专利]Ⅲ-Ⅴ器件在Si晶片上的集成

权利要求书

1.一种用于制造电子器件的方法，包括：

围绕衬底上的沟槽中的多个台面结构，共形地沉积第一绝缘层；

在所述台面结构上，沉积成核层；以及

在所述成核层上，沉积Ⅲ-Ⅴ材料层，其中，所述Ⅲ-Ⅴ材料层在所述第一绝缘层之上横向生长，

其中，所述台面结构之间的距离由所述Ⅲ-Ⅴ材料层的横向过度生长速率与纵向生长速率的比率确定。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在横向生长的Ⅲ-Ⅴ材料层上，沉积器件层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述Ⅲ-Ⅴ材料层包括氮化镓，并且，所述衬底包括硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一绝缘层包括氧化硅、氮化硅、或者其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述成核层包括AlN。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底上，沉积第二绝缘层；

对所述第二绝缘层进行图案化；

穿过经图案化的第二绝缘层来对所述衬底进行蚀刻，以形成所述沟槽。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述沟槽内，沉积硬掩模层；

对所述硬掩模层进行图案化；以及

穿过经图案化的硬掩模层来对所述衬底进行蚀刻，以形成所述台面结构；以及

去除所述硬掩模层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一绝缘层覆盖所述沟槽的侧壁。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述横向生长的Ⅲ-Ⅴ材料层被形成为与所述第一绝缘层直接接触。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述横向生长的Ⅲ-Ⅴ材料层与所述第一绝缘层被空间隔开。

11.一种电子器件，包括：

多个台面结构，位于衬底上的沟槽内；

绝缘层，围绕所述台面结构填充空间；

成核层，位于所述台面结构上；以及

Ⅲ-Ⅴ材料层，位于所述成核层上，其中，所述Ⅲ-Ⅴ材料层在所述绝缘层之上横向延伸，

其中，所述台面结构之间的距离由所述Ⅲ-Ⅴ材料层的横向过度生长速率与纵向生长速率的比率确定。

12.根据权利要求11所述的电子器件，还包括：

器件层，位于横向延伸的Ⅲ-Ⅴ材料层上。

13.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述Ⅲ-Ⅴ材料层包括GaN，并且，所述台面结构包括硅。

14.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述绝缘层包括氧化硅、氮化硅、或者其组合。

15.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述成核层包括AlN。

16.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述绝缘层覆盖所述沟槽的侧壁。

17.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述台面结构中的至少一个台面结构沿{0001}晶体取向对齐。

18.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述横向延伸的Ⅲ-Ⅴ材料层被形成为与所述绝缘层直接接触。

19.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述横向延伸的Ⅲ-Ⅴ材料层被形成为不与所述绝缘层直接接触。