[发明专利]发光元件及其制造方法有效
申请号: | 201380077836.5 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN105453276B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 黄建富;吕志强;林俊宇;邱新智 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L27/15;H01L33/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种发光元件的制造方法,包括:提供第一基板;提供一半导体叠层在第一基板上,将半导体叠层经图形化形成彼此分割的多个半导体叠层块,多个半导体叠层块包括第一半导体叠层块、第二半导体叠层块及第三半导体叠层块;提供永久基板,包含第一表面及第二表面;实行分离步骤将第一半导体叠层块及第三半导体叠层块与第一基板分离,且第一基板保留有第二半导体叠层块;实行第一接合步骤使第三半导体叠层块位于永久基板的第一表面上;以及实施第二接合步骤接合第一半导体叠层块或第二半导体叠层块于第二表面上;其中,被接合至永久基板的第一半导体叠层块或第二半导体叠层块与第三半导体叠层块具有光学特征值的差异或电性特征值的差异。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件的制造方法,包括:提供一第一基板;提供一半导体叠层于该第一基板上,其中该半导体叠层包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上,且该半导体叠层经图形化而形成彼此分隔的多个半导体叠层块,其中该多个半导体叠层块包括一第一半导体叠层块、一第二半导体叠层块及一第三半导体叠层块;提供一永久基板,包含一第一表面及一第二表面;实行一分离步骤将该第一半导体叠层块及该第三半导体叠层块与该第一基板分离,且该第一基板保留有该第二半导体叠层块;实行一第一接合步骤使该第三半导体叠层块位于该永久基板的该第一表面上;以及实施一第二接合步骤接合该第一半导体叠层块或该第二半导体叠层块于该第二表面上;其中,被接合至该永久基板的该第一半导体叠层块或该第二半导体叠层块与该第三半导体叠层块具有一光学特征值的差异或一电性特征值的差异。
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