[发明专利]制造基于磁电阻的器件的方法有效
| 申请号： | 201380052001.4 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104737317B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | S·A·德什庞德;S·阿加瓦尔 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H01L41/20 | 分类号： | H01L41/20;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造基于磁电阻的器件的方法，该基于磁电阻的器件具有在第一导电层与第二导电层之间形成的磁性材料层，该磁性材料层包括在第一磁性材料层与第二磁性材料层之间形成的隧道势垒层，该方法包括去除不受第一硬掩模保护的第一磁性材料层和第一导电层以分别形成第一电极和第一磁性材料；以及去除不受第二硬掩模保护的第二导电层、第二磁性材料层和隧道势垒层以形成隧道势垒、第二磁性材料和第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 基于 磁电 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造基于磁电阻的器件的方法，所述基于磁电阻的器件具有在第一导电层之上形成的磁性材料层，所述磁性材料层包括(i)第一磁性材料层，(ii)在第一磁性材料层之上形成的第一隧道势垒层，(iii)第二磁性材料层，(iv)在第二磁性材料层之上形成的第二隧道势垒层，(v)在第二隧道势垒层之上形成的第三磁性材料层，所述方法包括：在所述第三磁性材料层之上图案化第一硬掩模；去除不受所述第一硬掩模保护的所述第三磁性材料层、所述第二隧道势垒层及所述第二磁性材料层以从第二隧道势垒层形成第二隧道势垒，以及形成第三磁性材料、第二隧道势垒及第二磁性材料的侧面；在所述第一隧道势垒层、所述第一硬掩模、和所述第三磁性材料、所述第二隧道势垒及所述第二磁性材料的侧面之上图案化第二硬掩模；以及去除不受所述第二硬掩模保护的所述第一磁性材料层和所述第一隧道势垒层以形成第一磁性材料和第一隧道势垒。
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