[发明专利]用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管在审
| 申请号： | 201380051032.8 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104685734A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 贝恩哈德·施托耶茨;艾尔弗雷德·莱尔;克里斯托夫·艾克勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/10;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于制造半导体激光二极管的方法，所述方法具有下述步骤：-在生长衬底(1)上外延地生长具有至少一个有源层(3)的半导体层序列(2)；-在半导体层序列(2)和生长衬底(1)上构成正面小面(5)，其中所述正面小面构建为具有用于在制成的半导体激光二极管中产生的激光(30)的光放射区域(6)的主放射面；-在正面小面(5)的第二部分(52)上构成耦合输出覆层(9)，其中第一部分(51)和第二部分(52)在平行于所述正面小面(5)的方向上并且沿着半导体层序列(2)的生长方向至少部分地彼此并排地设置，使得所述第一部分(51)至少部分地没有耦合输出覆层(9)并且第二部分(52)至少部分地没有光阻挡层(8)，并且其中第二部分(52)具有光出射区域(6)；-在正面小面(5)的第一部分(51)上构成光阻挡层(8)。此外提出一种半导体激光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 激光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体激光二极管的方法，所述方法具有下述步骤：‑在生长衬底(1)上外延地生长具有至少一个有源层(3)的半导体层序列(2)，‑在所述半导体层序列(2)和所述生长衬底(1)上构成正面小面(5)，其中所述正面小面(5)构建为具有用于在制成的所述半导体激光二极管中产生的激光(30)的光放射区域(6)的主放射面，‑在所述正面小面(5)的第一部分(51)上构成光阻挡层(8)，‑在所述正面小面(5)的第二部分(52)上构成耦合输出覆层(9)，其中所述第一部分(51)和所述第二部分(52)在平行于所述正面小面(5)的方向上并且沿着所述半导体层序列(2)的生长方向至少部分地彼此并排地设置，使得所述第一部分(51)至少部分地没有所述耦合输出覆层(9)并且所述第二部分(52)至少部分地没有所述光阻挡层(8)，并且其中所述第二部分(52)具有光出射区域(6)。
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