[发明专利]具有电荷分布结构的开关器件有效
| 申请号： | 201380045298.1 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104871318B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | A·库迪姆 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 李丙林,曹桓 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底和设置在该衬底之上的第一有源层。该半导体器件还包括设置在该第一有源层上的第二有源层，使得在该第一有源层与该第二有源层之间出现一个横向传导沟道，一个源极触点、一个栅极触点和一个漏极触点设置在该第二有源层之上。一个传导电荷分布结构在该栅极触点与该漏极触点之间设置在该第二有源层之上。该传导电荷分布结构电容耦合到该栅极触点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷分布 结构 开关 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：一个衬底；第一有源层，设置在所述衬底之上；第二有源层，设置在所述第一有源层上，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间出现一个横向传导沟道；一个源极触点、一个栅极触点和一个漏极触点，设置在所述第二有源层之上；以及一个传导电荷分布结构，在所述栅极触点与所述漏极触点之间设置在所述第二有源层之上，所述传导电荷分布结构电容耦合到所述栅极触点，以响应于施加到所述器件的所述源极触点、所述栅极触点和所述漏极触点的电压的变化改变静电电势，并匹配所述横向传导沟道的在下面的部分的电势。
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