[发明专利]半导体基板的评价方法、评价用半导体基板、半导体装置

摘要

本发明是在EP基板1上，成长与EP基板1不同的导电型EP层2。在EP层2上形成分离氧化膜9。通过离子注入，形成与EP层2相同的导电型井5，并且在分离氧化膜9的正下方利用自对准形成通道阻绝层10。在井5中，使与井5不同的导电型掺杂物扩散而在井5内形成pn接合7。形成多个以扩散层6作为一电极、以EP基板1的背面1a作为另一电极的单元20而用作TEG，对来自井中的空乏层8以及EP层2与EP基板1的界面的空乏层4的2个空乏层的接合漏电电流进行测定。因此，可提供一种可对CCD、CMOS传感器等要求高良率的产品中使用的高质量晶圆的漏电电流特性高精度地进行评价的半导体基板的评价方法以及半导体基板及半导体装置。

主权项

一种半导体基板的评价方法，在第1导电型的半导体基板上成长与该半导体基板不同的第2导电型的磊晶层，在该磊晶层中形成与该磊晶层相同的第2导电型的井，在该井的接合周围设置通道阻绝层，在该井中，使与该井不同的第1导电型的掺杂物扩散，井的掺杂物浓度为1×1016atoms／cm3～1×1017atoms／cm3，将设置pn接合作为一方的电极，以该半导体基板未成长有磊晶层的面作为另一电极，将此视作一个单元，在该半导体基板上形成多个该单元而用作试验组件组，测定来自形成在各井中的空乏层及形成于磊晶层与半导体基板界面的空乏层的2个空乏层的接合漏电电流。