[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在温度检测用二极管(1)的下部或者保护用二极管(21、22)的下部形成电容分量区域。此外，在连接温度检测用二极管(1)和阳极电极焊盘(3)的阳极金属布线(6)的下部以及连接温度检测用二极管(1)和阴极电极焊盘(4)的阴极金属布线(7)的下部形成电容分量区域。电容分量区域由夹在多晶硅层之间的绝缘膜构成。具体而言，在半导体基板的第一主面上，依次层叠第一绝缘膜、多晶硅的导电层、第二绝缘膜，在第二绝缘膜的上表面设置多晶硅的温度检测用二极管(1)、保护用二极管(21、22)、阳极金属布线(6)或者阴极金属布线(7)。由此，能够提高温度检测用二极管(1)或者保护用二极管(21、22)的静电耐量。

主权项

一种半导体装置，具备：使电流在半导体基板的厚度方向上流动的半导体元件；以及与所述半导体元件相连接的二极管，其特征在于，所述半导体装置具备：形成在所述半导体基板的第一主面上的第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜上的导电层；形成在所述导电层上的第二绝缘膜；由形成在所述第二绝缘膜上的第一导电型层和第二导电型层构成的所述二极管；第一电容器，所述第一电容器将所述第一导电型层和所述导电层之间的所述第二绝缘膜作为第一电容分量区域；以及第二电容器，所述第二电容器将所述第二导电型层和所述导电层之间的所述第二绝缘膜作为第二电容分量区域，所述导电层被电绝缘。