[发明专利]液体处理装置和液体处理方法有效
申请号: | 201380011195.3 | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN104137225A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 吉原孝介;一野克宪;古庄智伸;佐佐卓志;土屋胜裕;寺下裕一;竹口博史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B01D19/00;B05C11/10;G03F7/30 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供与对被处理基板供给处理液的处理液供给喷嘴连接的液体处理装置,其包括:将处理液存储容器和该处理液供给喷嘴连接的供给管路;设置于供给管路的过滤器装置;过滤器装置的二次侧的泵;将泵的排出侧和过滤器装置的吸入侧连接的循环管路;在泵的二次侧的供给管路设置的供给控制阀;在循环管路设置的循环控制阀;和控制泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置,利用控制装置,使得通过关闭供给控制阀使从该处理液供给喷嘴向被处理基板的处理液的供给停止时,打开循环控制阀,驱动泵,使处理液在具有过滤器装置的供给管路与循环管路之间循环。 | ||
搜索关键词: | 液体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种液体处理装置,其与对被处理基板供给处理液的多个处理液供给喷嘴中的一个处理液供给喷嘴连接,所述液体处理装置的特征在于,包括:将存储所述处理液的处理液存储容器和所述一个处理液供给喷嘴连接的供给管路;过滤器装置,其设置于所述供给管路,对所述处理液进行过滤,并且将混入所述处理液中的异物除去;在所述过滤器装置的二次侧的所述供给管路设置的泵;将所述泵的排出侧和所述过滤器装置的吸入侧连接的循环管路;在所述泵的二次侧的所述供给管路设置的供给控制阀;在所述循环管路设置的循环控制阀;和控制所述泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置,该控制装置按照下述方式进行控制:在通过关闭所述供给控制阀使从所述一个处理液供给喷嘴向所述被处理基板的处理液的供给停止时,打开所述循环控制阀,驱动所述泵,使所述处理液在具有所述过滤器装置的所述供给管路与所述循环管路之间循环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380011195.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:场发射装置
- 下一篇:具有电池形状因数的基于超级电容器的能量存储器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造