[发明专利]用于接触半导体衬底、特别是用于接触太阳能电池的方法以及由此得到接触的太阳能电池无效
| 申请号： | 201380010595.2 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104137270A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 约尔根H·维尔纳;雷内·扎普夫-哥特维克 | 申请（专利权）人： | 斯图加特大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;C23C14/04;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种用于接触半导体衬底、特别是用于接触太阳能电池(10)、特别是用于制造太阳能电池(10)上的正面接触部(19)的方法，其中，首先借助LIFT-工艺在有待接触的表面上产生金属的胚种结构(20)，并且接下来借助印制方法、特别是借助丝网印制法或喷墨法将加厚层(22)印制到胚种结构(20)上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 接触 半导体 衬底 特别是 太阳能电池 方法 以及 由此 得到 | ||
【主权项】：
一种用于接触半导体衬底、特别是用于接触太阳能电池(10)、特别是用于建立太阳能电池(10)上的正面接触部(19)的方法，其中，首先借助LIFT‑工艺(Laser Induced Forward Transfer‑Prozess(激光诱导向前转移工艺))在有待接触的表面上产生金属的胚种结构(20)，并且接下来借助印制方法、特别是借助丝网印制法或喷墨法来涂布至少一个加厚层(22)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯图加特大学，未经斯图加特大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380010595.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：化合物太阳能电池的制造方法
- 下一篇：封装的半导体管芯和CTE工程管芯对
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
