[实用新型]全自对准型绝缘栅双极晶体管

摘要

实用新型的涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为全自对准型绝缘栅双极晶体管，包括有第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的正面设置有第二导电类型基区，所述第二导电类型基区正面设置有第二导电类型重掺区，所述第一导电类型衬底、第二导电类型基区和第二导电类型重掺区均呈“凹”形，在所述第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，本实用新型采用了侧墙及其保护结构，保护结构的设立能保证侧墙不受损伤，保存完整的形貌，具有更加稳定的工艺生产特性和电学特性表现。

主权项

一种全自对准型绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括有第一导电类型衬底（110），第一导电类型衬底（110）的的正面设置有第二导电类型基区（120），所述第二导电类型基区（120）正面设置有第二导电类型重掺区（130），所述第一导电类型衬底（110）、第二导电类型基区（120）和第二导电类型重掺区（130）均呈“凹”形，在所述第二导电类型基区（120）内设置有第一导电类型发射区（140），第一导电类型发射区（140）分别设置在第二导电类型深扩散区 “凹”型的两凸起端内，同时第一导电类型发射区（140）也分别位于第二导电类型重掺区（130）的“凹”型的两凸起端内，所述第二导电类型深扩散区的两凸起端、第二导电类型重掺区（130）与所述第一导电类型衬底（110）的两凸起端齐平与，所述三部分的两凸起端上由下至上依次设置有第一绝缘层（160）、多晶硅栅极（170）、第二绝缘层（180）、侧墙保护层（210）和第三绝缘层（220），所述第一导电类型发射区（140）上设置有侧墙绝缘层（190），所述侧墙绝缘层（190）与第一绝缘层（160）、多晶硅栅极（170）和第二绝缘层（180）的端面接触；所述第一导电类型衬底（110）的背面设置有第二导电类型集电区（150）。