[实用新型]高频放大器、半导体器件及具有该半导体器件的系统有效
| 申请号： | 201320117687.8 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN203243283U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 竹中功 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供高频放大器、半导体器件及具有该半导体器件的系统，高频放大器在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地-阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 高频放大器 半导体器件 具有 系统 | ||
【主权项】：
一种高频放大器，其特征在于，包括： 第1晶体管，其源极接地； 第2晶体管，其与所述第1晶体管构成栅地‑阴地放大器电路； 串联电路，其连接于所述第2晶体管的栅极和接地之间，且第1电阻元件及串联共振电路串联连接；以及 第2电阻元件，其与所述串联电路并联连接。
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