[发明专利]第一金属互连层的制作方法

摘要

本申请提供了一种第一金属互连层的制作方法。该制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成刻蚀停止层、金属间介质层、正硅酸乙酯氧化层和金属层；刻蚀金属层、正硅酸乙酯氧化层、金属间介质层和刻蚀停止层，形成通孔；在通孔中形成牺牲层；刻蚀去除金属层；以及剥离牺牲层。采用在通孔中形成牺牲层，用于避免刻蚀金属层的过程中刻蚀液对钨造成的腐蚀损伤，因此克服了现有技术对钨的损伤的缺陷，减小了第一金属互连层和半导体器件层之间的电阻；在去除金属层后再剥离去除牺牲层，对已经形成的器件结构也不构成附加损伤。

主权项

1.一种第一金属互连层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成刻蚀停止层、金属间介质层、正硅酸乙酯氧化层和金属层；刻蚀所述金属层、所述正硅酸乙酯氧化层、所述金属间介质层和所述刻蚀停止层，形成通孔；在所述通孔中形成牺牲层；刻蚀去除所述金属层；以及剥离所述牺牲层，所述制作方法在剥离所述牺牲层材料后还包括采用DHF溶液或EKC溶剂清洗所述通孔的过程，所述制作方法在形成所述正硅酸乙酯氧化层之前还包括在所述金属间介质层上形成环状有机硅烷层的过程。