[发明专利]具有熔丝图案的半导体器件有效
| 申请号： | 201310646036.2 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855133B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵文祺;安殷彻;金相荣;辛周源;李旼镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 陈源,张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件，该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 图案 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，并且所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。
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