[发明专利]包括同时抛光衬底晶片的正面和反面的抛光半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 201310585234.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103839798A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | A·海尔迈尔;L·米斯图尔;K·勒特格;田畑诚 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 谭邦会 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于抛光半导体晶片的方法，其包括在抛光介质的存在下同时抛光衬底晶片的正面和反面，并实现从衬底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分为第一和第二步骤，第一步骤中的材料去除速度高于第二步骤，其中将第一抛光浆液用作第一步骤中的抛光介质，并将第二抛光浆液用作第二步骤中的抛光介质，并且第二抛光浆液与第一抛光浆液的区别至少在于第二抛光浆液包含聚合物添加剂。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 同时 抛光 衬底 晶片 正面 反面 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于抛光半导体晶片的方法，其包括在抛光介质的存在下同时抛光衬底晶片的正面和反面，以实现从所述衬底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分为第一和第二步骤，第一步骤中的材料去除速度高于第二步骤中的材料去除速度，其中第一抛光浆液被用作第一步骤中的抛光介质，第二抛光浆液被用作第二步骤中的抛光介质，并且第二抛光浆液与第一抛光浆液的区别至少在于第二抛光浆液包含聚合物添加剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅电子股份公司，未经硅电子股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310585234.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：清洗机
- 下一篇：一种液压式拖把挤干机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
