[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310583045.1 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104659023A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 盛亚;姚晓芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的界面区域，所述第一区域用于形成第一电路模块，所述第二区域用于形成第二电路模块；在半导体衬底内的第一区域和第二区域分别形成第一隔离阱和第二隔离阱，所述第一隔离阱和第二隔离阱具有第一电阻率和第二电阻率；以及至少在所述界面区域形成保护区域，所述保护区域具有第三电阻率，所述第三电阻率大于所述第一电阻率，所述第三电阻率大于第二电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的第一区域、第二区域，所述第一区域和所述第二区域内分别形成有第一电路模块和第二电路模块；位于所述第一区域和第二区域之间的界面区域；位于所述第一区域内的第一隔离阱和位于所述第二区域内的第二隔离阱，所述第一隔离阱和第二隔离阱具有第一电阻率和第二电阻率；以及至少位于所述界面区域内的保护区域，所述保护区域具有第三电阻率，所述第三电阻率大于所述第一电阻率且大于所述第二电阻率。
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