[发明专利]通孔优先铜互连制作方法

摘要

一种通孔优先铜互连制作方法，包括：提供硅基衬底，并依次沉积低k值介质层、硬掩模薄膜、第一无定形碳薄膜，且在第一无定形碳薄膜上涂布第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶中，并形成第一通孔；在硬掩模薄膜中形成第二通孔；在硬掩模薄膜上沉积第二无定形碳薄膜，并涂布第二光刻胶；曝光和显影在第二光刻胶中，并形成第一金属槽；在低k值介质层中形成通孔和金属槽；实现导线金属和通孔金属填充。本发明通过使用第一无定形碳薄膜和第二无定形碳薄膜，并结合可形成硬膜之第一光刻胶和第二光刻胶，不仅减少了工艺材料和工艺步骤，提高了光刻工艺能力，并可以满足刻蚀后图形结构均匀度的要求，而且有效的提高产能和减少制作成本。

主权项

一种通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述通孔优先铜互连制作方法包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上依次沉积所述低k值介质层、硬掩模薄膜、第一无定形碳薄膜，且在所述第一无定形碳薄膜上涂布可形成硬膜之第一光刻胶；执行步骤S2：曝光和显影在所述第一光刻胶中，并形成所述第一通孔；执行步骤S3：依次以所述第一光刻胶和所述第一无定形碳薄膜为刻蚀掩模，在所述硬掩模薄膜中形成所述第二通孔，并去除多余的所述第一无定形碳薄膜；执行步骤S4：在所述硬掩模薄膜上沉积第二无定形碳薄膜，并在所述第二无定形碳薄膜上涂布可形成硬膜之第二光刻胶；执行步骤S5：曝光和显影在所述第二光刻胶中，并形成所述第一金属槽；执行步骤S6：依次以所述第二光刻胶、第二无定形碳薄膜和所述硬掩模薄膜为刻蚀掩模，并在所述低k值介质层中形成所述通孔和所述金属槽；执行步骤S7：进行所述金属沉积和所述化学机械研磨工艺，实现所述导线金属和所述通孔金属填充。