[发明专利]通孔优先铜互连制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种通孔优先铜互连制作方法。

背景技术

进入到130nm技术节点之后，受到铝的高电阻特性的限制，铜互连逐渐替代铝互连成为金属互连的主流。由于铜的干法刻蚀工艺不易实现，铜导线的制作方法不能像铝导线那样通过刻蚀金属层而获得。现在广泛采用的铜导线的制作方法是称作大马士革工艺的镶嵌技术。大马士革镶嵌结构铜互连可以通过多种工艺方法实现。其中，沟槽优先双大马士革工艺是实现金属导线和通孔铜填充一次成形的方法之一。

请参阅图9（a）～图9（e），图9（a）～图9（e）所示为现有沟槽优先双大马士革工艺流程示意图。所述现有沟槽优先双大马士革工艺，包括：

在衬底硅片20上沉积低介电常数介质层21，并在所述低介电常数介质层21上涂布所述第一光阻层22；

通过第一光刻和刻蚀，在所述低介电常数介质层21中形成所述通孔结构23；

在所述低介电常数介质层21上涂布所述第二光阻层24；

通过第二光刻和刻蚀，在所述通孔结构23上形成所述金属槽结构25；

继续后续金属沉积和金属化学机械研磨，完成所述金属导线251和所述金属通孔231填充。

同时，随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小，对光刻工艺的挑战也越来越大。传统的光刻工艺通常采用以高分子材料为主体的有机抗反射薄膜（Bottom Anti-reflective Coating,BARC）来提高光刻工艺的能力。

请参阅图10、图11，图10所示为衬底硅片、有机抗反射薄膜和光阻层的结构图示。图11所示为有机抗反射薄膜与反射率的关系曲线。显然地，所述有机抗反射薄膜26可以有效地减少衬底对所述光阻层27的反射率，进而提高了光刻工艺能力。通过调整有机抗反射薄膜26之厚度还可以扩大刻蚀工艺的可调适范围，提高刻蚀后图形结构的均匀度。

但是，在进入45nm技术节点之后，以传统高分子材料为主体的有机抗反射薄膜26越来越难以满足光刻工艺和刻蚀后图形结构均匀度的要求。一方面，高端光刻胶需要更低反射率的衬底，另一方面当衬底表面凹凸不平时，需要较厚的抗反射薄膜26来平滑衬底表面。然而，较厚的传统有机抗反射薄26很难提供较低的反射率。

另外，利用等离子增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD）方法制作的无定形碳薄膜是替代传统的有机抗反射薄膜的新材料之一。无定形碳薄膜可以提供较低的反射率，尤其是在膜厚度较厚的条件下。

请参阅图12，图12所示为衬底硅片、无定形碳薄膜、含碳氧化硅薄膜和光阻的结构示意图。在PECVD中，通常采用无定形碳薄膜28和含碳氧化硅薄膜29搭配替代传统的有机抗反射薄膜26。利用无定形碳薄膜28和含碳氧化硅薄膜29的抗刻蚀能力之差，可以使用较厚的无定形碳薄膜28。较厚的无定形碳薄膜28可以有效地平滑凹凸不平的衬底表面，很好地满足光刻工艺和刻蚀后图形结构均匀度的要求。

作为本领域技术人员，容易理解地，现有工艺采用无定形碳薄膜28和含碳氧化硅薄膜29搭配虽然解决了传统的有机抗反射薄膜26的厚膜高反射率问题。但是，带来了材料成本增加和刻蚀工艺复杂的问题。如何减少材料和简化工艺，以利于大规模量产成为本领域亟待解决的技术问题之一。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种通孔优先铜互连制作方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，所述传统的沟槽优先双大马士革工艺之材料成本增加和刻蚀工艺复杂等缺陷提供一种通孔优先铜互连制作方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种通孔优先铜互连制作方法，所述通孔优先铜互连制作方法包括：

执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上依次沉积所述低k值介质层、硬掩模薄膜、第一无定形碳薄膜，且在所述第一无定形碳薄膜上涂布可形成硬膜之第一光刻胶；

执行步骤S2：曝光和显影在所述第一光刻胶中，并形成所述第一通孔；

执行步骤S3：依次以所述第一光刻胶和所述第一无定形碳薄膜为刻蚀掩模，在所述硬掩模薄膜中形成所述第二通孔，并去除多余的所述第一无定形碳薄膜；

执行步骤S4：在所述硬掩模薄膜上沉积第二无定形碳薄膜，并在所述第二无定形碳薄膜上涂布可形成硬膜之第二光刻胶；

执行步骤S5：曝光和显影在所述第二光刻胶中，并形成所述第一金属槽；