[发明专利]用于分栅式闪存的接触结构有效
| 申请号： | 201310554527.4 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104377203B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;吴伟成;高雅真;黄进义 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792;H01L27/11521;H01L27/11546;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路结构，包括形成存储阵列的多个闪存单元，其中，多个闪存单元中的每一个都包括选择栅极和存储栅极。选择栅电极包括包含多晶硅的第一部分，其中，第一部分形成存储阵列的列的选择栅极，以及电连接至第一部分的第二部分，其中，第二部分包括金属。存储栅电极具有形成存储阵列的列的存储栅极的部分。本发明还提供了一种形成集成电路结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分栅式 闪存 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：多个闪存单元，用于形成存储阵列，所述多个闪存单元中的每一个都包括选择栅极和存储栅极；选择栅电极，包括：含多晶硅部分，所述含多晶硅部分形成所述存储阵列的列的相应闪存单元的选择栅极；和第一含金属部分，直接接触和电连接至所述含多晶硅部分；以及存储栅电极，包括第一部分，所述存储栅电极的第一部分形成所述存储阵列的列的所述相应闪存单元的存储栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310554527.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高发光效率的高压发光二极管
- 下一篇：半导体封装件及其制法
- 同类专利
- 专利分类
