[发明专利]一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本发明通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。

主权项

一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片，所述芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其特征在于，所述P型掺杂层为低浓度的阳极P型掺杂发射区，所述N型掺杂层包括依次连接的低浓度的阴极N型缓冲掺杂区和低浓度的阴极N型增强掺杂区，所述金属阴极设置于N型衬底的底面，所述场氧化层设置于阳极P型掺杂发射区的上部，所述钝化保护层结构设置在场氧化层和金属阳极的上表面，所述金属阳极与阳极P型掺杂发射区连接；所述N型衬底为N型单晶硅片衬底，其厚度为200um‑600um；其承受的电压为600V‑6500V。