[发明专利]一种半浮栅感光器件的制造方法

摘要

本发明属于半导体感光器件技术领域，具体为一种半浮栅感光器件的制造方法。本发明通过自对准工艺，只需要一步光刻便可以形成半浮栅感光器件的浮栅和控制栅，工艺过程简单，易于控制；同时，本发明采用多晶锗化硅作为半浮栅感光器件的浮栅材料，多晶锗化硅浮栅和硅衬底形成异质结结构，p型多晶锗化硅的价带顶高于p型硅的价带顶，使空穴有选择的流向p型多晶锗化硅浮栅，有利于空穴在多晶锗化硅浮栅中的保存，提高浮栅中空穴数目的稳定性，进而可以稳定输出电流。

主权项

 半浮栅感光器件的制造方法，包括浮栅和控制栅的形成方法，其特征在于，所述浮栅和控制栅的形成方法包括以下步骤：覆盖所形成的结构，淀积第一层导电薄膜；在所述第一层导电薄膜之上形成第二层绝缘薄膜；在所述第二层绝缘薄膜之上淀积第二层导电薄膜；通过光刻工艺和刻蚀工艺刻蚀所述第二层导电薄膜，刻蚀后剩余的所述第二层导电薄膜形成器件的控制栅；沿着所述控制栅的两侧边沿，继续刻蚀掉暴露出的所述第二层绝缘薄膜和所述第一层导电薄膜，刻蚀后剩余的所述第一层导电薄膜形成器件的浮栅，所述浮栅与部分具有第一种掺杂类型的掺杂阱连接，将另一部分具有第一种掺杂类型的掺杂阱暴露出来。