[发明专利]等离子体处理装置和等离子体产生装置在审
申请号: | 201310542764.9 | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN103805968A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 加藤寿;三浦繁博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/455;H01L21/31;H05H1/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供等离子体处理装置和等离子体产生装置。该等离子体处理装置包括:真空容器;基板载置部,其设于上述真空容器内,用于载置基板;气体供给部,其用于向上述真空容器内供给等离子体产生用气体;天线,能向该天线供给高频电力而使自上述气体供给部供给过来的上述等离子体产生用气体等离子体化;法拉第屏蔽件,其设于上述天线与产生等离子体的区域之间,该法拉第屏蔽件由导电板构成,在导电板中,沿着天线的长度方向排列有多个以与上述天线的延伸方向交叉的方式形成狭缝,以阻隔由上述天线形成的电磁场中的电场并使磁场通过;以及调整构件,其由用于调整上述狭缝的开口面积的导电体构成,用于调整在上述天线的长度方向上的等离子体密度。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 产生 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其特征在于,该等离子体处理装置包括:真空容器;基板载置部,其设于上述真空容器内,用于载置基板;气体供给部,其用于向上述真空容器内供给等离子体产生用气体;天线,能向该天线供给高频电力而使自上述气体供给部供给过来的上述等离子体产生用气体等离子体化;法拉第屏蔽件,其设于上述天线与产生等离子体的区域之间,该法拉第屏蔽件由导电板构成,在导电板中,沿着天线的长度方向排列有多个以与上述天线的延伸方向交叉的方式形成狭缝,以阻隔由上述天线形成的电磁场中的电场并使磁场通过;以及调整构件,其由用于调整上述狭缝的开口面积的导电体构成,以调整在上述天线的长度方向上的等离子体密度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的