[发明专利]形成层间互连线结构的方法有效
| 申请号： | 201310542067.3 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104617032B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成层间互连线结构的方法，包括：提供衬底；通过气溶胶喷射工艺在所述衬底上形成层间介质层；通过聚焦离子束处理，对层间介质层的部分区域进行掺杂，在所述层间介质层中形成间隔排列的掺杂区域；去除所述掺杂区域，以在所述层间介质层中形成露出衬底的开孔；在所述开孔中形成导电层。本发明的技术方案具有以下优点：通过聚焦离子束处理以形成所述介质区域和掺杂区域，省去了在所述掺杂区域上覆盖光刻胶的步骤，相应的，也就不存在蚀刻光刻胶的工艺，减少了对污染物的排放；同时，省去了蚀刻形成及层间介质层以形成开孔的步骤，也相应的避免了对半导体器件造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区域 层间介质层 衬底 开孔 蚀刻 互连线结构 聚焦离子束 光刻胶 介质层 半导体器件 气溶胶喷射 间隔排列 介质区域 导电层 对层 去除 污染物 掺杂 损伤 排放 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种形成层间互连线结构的方法，其特征在于，包括：提供衬底；通过气溶胶喷射工艺在所述衬底上形成层间介质层；通过聚焦离子束处理，对层间介质层的部分区域进行掺杂，在所述层间介质层中形成间隔排列的掺杂区域；去除所述掺杂区域，以在所述层间介质层中形成露出衬底的开孔；在所述开孔中形成导电层；其中，在去除所述掺杂区域的步骤中，采用湿法蚀刻去除所述掺杂区域；在形成导电层的步骤中，采用激光直接成型的方法形成所导电层；形成导电层包括以下分步骤：通过激光照射所述开孔；采用电镀的方法在所述开孔中形成所述导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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