[发明专利]石墨烯电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310534898.6 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103915496B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 金容诚;李昌承;李周浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/788;H01L29/778;H01L21/683;H01L29/16;H01L29/861;H01L27/1159;H01L27/11521;H01L21/336;H01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 电子器件 栅极结构 存储器器件 二极管 开关器件 石墨烯层 晶体管 制造 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯电子器件，包括石墨烯，所述石墨烯电子器件包括：第一导电层和半导体层，形成在中间层的第一区域上，其中所述半导体层位于所述第一导电层上；第二导电层，形成在所述中间层的第二区域上，所述第二区域与所述第一区域间隔开；石墨烯层，形成在所述中间层、所述半导体层以及所述第二导电层上；以及第一栅极结构和第二栅极结构，形成在所述石墨烯层上，其中所述石墨烯层设置在所述栅极结构与所述中间层之间。
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