[发明专利]一种SiC衬底GaN基LED的制备方法

摘要

本发明涉及一种SiC衬底GaN基LED的制备方法，包括以下步骤：第一步：一次光刻，定义出芯片P区、N区；第二步：使用感应耦合等离子体刻烛机蚀刻掉N区外延层；第三步：使用电子束蒸发台在外延片上蒸镀ITO透明导电薄膜；第四步：二次光刻；第五步：对ITO进行500度的退火；第六步：三次光刻；第七步：蒸镀Cr/Au金属电极；第八步：制作Si02钝化膜；第九步：四次光刻；第十步：Wafer测试；第十一步：SiC衬底减薄，芯片切割；该方法能够在非掺杂的SiC衬底，载流子浓度约为l×1017cm-3的环境下，制造够适合制作而TIP（倒金字塔形状）的SiC衬底的GaN基LED芯片，能够充分发挥SiC在LED芯片中的功能。

主权项

一种SiC衬底GaN基LED的制备方法，包括以下步骤：第一步：一次光刻,采用光刻技术在外延片表面制作图形化的光刻胶掩模,定义出芯片P区、N区;第二步：使用感应耦合等离子体刻烛机蚀刻掉N区外延层上的p‑GaN、MQW以及部分n‑GaN,刻烛深度为1.3um;第三步：使用电子束蒸发台在外延片上蒸镀ITO透明导电薄膜;第四步：二次光刻,采用光刻技术进行套刻,使用光刻胶作为掩模,选择性腐烛掉N区上面镀上的ITO;第五步：对ITO进行500度的退火,使ITO和p‑GaN形成欧姆接触;第六步：三次光刻,采用光刻技术,使用光刻胶在外延片表面定义出金属电极图形;第七步：蒸镀Cr/Au金属电极,剥离光刻胶得到图形化的p、n金属电极,并对电极进行微合金处理;第八步：采用PECVD技术制作Si02钝化膜；第九步：四次光刻,采用光刻腐蚀工艺暴露出p、n金属焊盘;第十步：Wafer测试;第十一步：SiC衬底减薄,芯片切割。