[发明专利]具有坝体结构的中介层上管芯组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310422113.6 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104282650A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;卢思维;林俊成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/525;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体封装件，包括中介层芯片，其具有正面、后面和位于背面上由中介层芯片的第一拐角边缘和第二拐角边缘限定的拐角区。管芯接合至中介层芯片的正面。至少一个坝体结构形成于中介层芯片背面的拐角区上。坝体结构包括与中介层芯片的第一拐角边缘和第二拐角边缘中的至少一个边缘对齐的边缘。本发明还提供了一种形成组件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 中介 管芯 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：中介层芯片，具有正面、背面和位于所述背面并且由所述中介层芯片的第一拐角边缘和第二拐角边缘限定的拐角区；管芯，接合至所述中介层芯片的正面；以及至少一个坝体结构，位于所述中介层芯片的背面的拐角区上；其中，所述坝体结构包括与所述中介层芯片的第一拐角边缘和第二拐角边缘中的至少一个边缘对齐的边缘。
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