[发明专利]隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310403969.9 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103474459A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 楼海君;林信南;李丹;何进 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。本申请的有益效果是：通过将隧穿场效应晶体管的外层源区与内层源区的接触面形成曲面结构，增大了外层源区与内层源区的接触面积，增加了载流子通过接触面隧穿的几率，因此增大了开态电流，具有良好的电流驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区；所述源区包括第一源区和第二源区，所述第一源区和第二源区在表征沿晶体管沟道方向的第一方向上接触；所述第二源区包括内层源区和外层源区，所述外层源区在与第一方向垂直的第二方向上覆盖内层源区；所述连通区包括扩展区和高阻区，所述扩展区在第二方向上覆盖高阻区；所述第二源区与所述连通区在第一方向上接触；所述连通区与所述漏区在第一方向上接触；所述栅电极层通过栅介质层在第二方向上覆盖外层源区，所述栅介质层在第二方向上覆盖外层源区、扩展区和漏区；所述内层源区和外层源区的材料掺杂类型不同，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；所述外层源区、扩展区和漏区材料的掺杂类型相同；所述外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。
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