[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201310397355.4 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN103811492A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 原田峻丞;中野敬志;奥野卓也 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L27/085 | 分类号: | H01L27/085 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体器件包括:半导体衬底(5),包括在所述半导体衬底(5)上的第一半导体层(2);在半导体衬底(5)中的多个半导体元件(50);及无效区(30)。每一个半导体元件(50)都包括:在所述第一半导体层(2)的表面部分中的第二半导体层(21);第三半导体层(17),设置在所述第一半导体层(2)的另一个表面部分中,并与所述第二半导体层(21)间隔开;及控制层(34),设置在所述第一半导体层(2)在所述第二半导体层(21)与所述第三半导体层(17)之间的部分上。所述无效区(30)设置在至少两个相邻的半导体元件(50)之间的半导体衬底(5)中;并且不提供所述半导体元件(50)的功能。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体衬底(5),其包括第一半导体层(2),该第一半导体层(2)具有第一导电类型并设置在所述半导体衬底(5)的主表面上;多个半导体元件(50),所述多个半导体元件(50)至少设置在所述半导体衬底(5)的所述主表面上;以及无效区(30),其中:每一个半导体元件(50)包括:第二半导体层(21),其设置在所述第一半导体层(2)的表面部分中;第三半导体层(17),其设置在所述第一半导体层(2)的另一个表面部分中,并与所述第二半导体层(21)间隔开;以及控制层(34),其设置在所述第一半导体层(2)在所述第二半导体层(21)与所述第三半导体层(17)之间的部分上;所述无效区(30)设置在所述多个半导体元件(50)中的至少相邻的两个半导体元件之间的所述半导体衬底(5)中;并且所述无效区(30)不提供所述半导体元件(50)的功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的