[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201310397355.4 申请日: 2013-09-04
公开(公告)号: CN103811492A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 原田峻丞;中野敬志;奥野卓也 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L27/085 分类号: H01L27/085
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体器件包括:半导体衬底(5),包括在所述半导体衬底(5)上的第一半导体层(2);在半导体衬底(5)中的多个半导体元件(50);及无效区(30)。每一个半导体元件(50)都包括:在所述第一半导体层(2)的表面部分中的第二半导体层(21);第三半导体层(17),设置在所述第一半导体层(2)的另一个表面部分中,并与所述第二半导体层(21)间隔开;及控制层(34),设置在所述第一半导体层(2)在所述第二半导体层(21)与所述第三半导体层(17)之间的部分上。所述无效区(30)设置在至少两个相邻的半导体元件(50)之间的半导体衬底(5)中;并且不提供所述半导体元件(50)的功能。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体衬底(5),其包括第一半导体层(2),该第一半导体层(2)具有第一导电类型并设置在所述半导体衬底(5)的主表面上;多个半导体元件(50),所述多个半导体元件(50)至少设置在所述半导体衬底(5)的所述主表面上;以及无效区(30),其中:每一个半导体元件(50)包括:第二半导体层(21),其设置在所述第一半导体层(2)的表面部分中;第三半导体层(17),其设置在所述第一半导体层(2)的另一个表面部分中,并与所述第二半导体层(21)间隔开;以及控制层(34),其设置在所述第一半导体层(2)在所述第二半导体层(21)与所述第三半导体层(17)之间的部分上;所述无效区(30)设置在所述多个半导体元件(50)中的至少相邻的两个半导体元件之间的所述半导体衬底(5)中;并且所述无效区(30)不提供所述半导体元件(50)的功能。
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