[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种实现低导通电阻化以及高耐压化的半导体装置。半导体装置包含第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、第4半导体区域、第5半导体区域、第1电极、第2电极以及第3电极。第2半导体区域与第1半导体区域相接，具有比上述第1半导体区域高的杂质浓度。第3半导体区域与第2半导体区域相接。第4半导体区域与第3半导体区域的至少一部分相接，具有比上述第2半导体区域高的杂质浓度。第5半导体区域设在第1半导体区域的一侧。第1电极与第1半导体区域在第1方向上排列，第1电极与第3半导体区域在第2方向上排列，第1电极的某端部相比于第2半导体区域与第3半导体区域之间的边界更加位于第1半导体区域侧。第2电极设在第1电极与第1半导体区域之间，与第4半导体区域导通。

主权项

一种半导体装置，具备：第1导电型的第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，与上述第1半导体区域相接而设，具有比上述第1半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度；第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反的一侧，与上述第2半导体区域相接；第1导电型的第4半导体区域，与上述第3半导体区域的至少一部分相接，具有比上述第2半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度；第2导电型的第5半导体区域，设在上述第1半导体区域的与上述第2半导体区域相反的一侧；第1电极，将上述第1半导体区域与上述第2半导体区域的层叠方向设为第1方向，将与上述第1方向正交的方向设为第2方向，将与上述第1方向及上述第2方向正交的方向设为第3方向，该第1电极与上述第1半导体区域在上述第1方向上排列，该第1电极与上述第3半导体区域在上述第2方向上排列，并且该第1电极的上述第1半导体区域侧的端部相比于上述第2半导体区域与上述第3半导体区域之间的边界更加位于上述第1半导体区域侧；第2电极，设在上述第1电极与上述第1半导体区域之间，与上述第4半导体区域导通；以及第3电极，与上述第4半导体区域相接。