[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 201310351232.7 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594578A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李振燮;金定燮;孙哲守 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;金小芳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件，包括基材；设置在所述基材上的缓冲层，该缓冲层包含铝氮化物；设置在所述缓冲层上的组成分级层，该组成分级层包含第一铝氮化物和第二铝氮化物；设置在所述组成分级层上的覆盖层；和设置在所述覆盖层上的包层。所述第一铝氮化物的组成和所述第二铝氮化物的组成可以以交替的方式渐进性变化。本发明的半导体发光器件能够降低层堆叠时由层与层之间的晶格失配而导致的穿透位错和各种缺陷，并且能够改善晶片上的半导体材料的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：基材；设置在所述基材上的缓冲层，该缓冲层包含铝氮化物；设置在所述缓冲层上的组成分级层，该组成分级层包含第一铝氮化物和第二铝氮化物；设置在所述组成分级层上的覆盖层；以及设置在所述覆盖层上的包层；其中，所述第一铝氮化物的组成和所述第二铝氮化物的组成沿着所述组成分级层的厚度以交替的方式呈渐进性变化。
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