[发明专利]鳍式场效应晶体管器件的制造方法

摘要

本发明提供了鳍式场效应晶体管器件的制造方法。制造FinFET器件首先接收FinFET前体。FinFET前体包括衬底、鳍和包裹鳍的部分的伪栅叠层。去除伪栅叠层以形成栅极沟槽。在栅极沟槽中沉积高k栅极介电层。在高k栅极介电层上方沉积栅极金属层。在栅极金属层上方沉积导电且低密度的亚稳相材料。实施热处理以将导电且低密度的亚稳相材料转变为导电且高密度的稳相材料并伴随着大幅体积收缩。

主权项

一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：接收鳍式场效应晶体管前体，所述鳍式场效应晶体管前体包括：衬底；鳍，位于所述衬底上；和伪栅叠层，位于所述衬底上，包括包裹所述鳍的部分，其中，所述鳍的所述部分作为栅极沟道区；去除所述伪栅叠层以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽中沉积高k栅极介电层；在所述高k栅极介电层上方沉积栅极金属层；在所述栅极金属层上方沉积导电且低密度的亚稳相材料；以及实施热处理以将所述导电且低密度的亚稳相材料转变为导电且高密度的稳相材料。