[发明专利]场效应晶体管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310346611.7 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103633132A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 綦振瀛;林惠铃;李庚谚;陈世鹏 | 申请（专利权）人： | 中央大学;台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 发明提供一种场效应晶体管装置及其制造方法。该场效应晶体管装置包括：衬底；依序配置于该衬底之上的缓冲层、沟道层及第一阻障层；配置于该第一阻障层之上的二维电子气控制层，其中该二维电子气控制层具有大于或等于5nm的厚度；配置于该二维电子气控制层之上的第二阻障层，其中该第二阻障层具有贯穿该第二阻障层的贯孔；以及,填入该贯孔的栅极，其中该栅极通过绝缘层与该第二阻障层以及该二维电子气控制层相隔。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管装置，包括:衬底；依序配置于该衬底之上的缓冲层、沟道层及第一阻障层；配置于该第一阻障层之上的二维电子气控制层，其中该二维电子气控制层具有大于或等于5nm的厚度；配置于该二维电子气控制层之上的第二阻障层，其中该第二阻障层具有贯穿该第二阻障层的贯孔；以及填入该贯孔的栅极，其中该栅极通过绝缘层与该第二阻障层以及该二维电子气控制层相隔。
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