[发明专利]一种恒流二极管芯片有效
| 申请号： | 201310346414.5 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103441146B | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 吴亚红;陆国华;陆炳锜 | 申请（专利权）人： | 如皋市晟太电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种恒流二极管芯片，主要部件为一个硅片衬底，所述硅片衬底上隔离出两个独立的MOS集成块，所述MOS集成块内为源、漏极和栅等距分布的阵列且MOS集成块为4个电极，分别为源、漏极和上下两个栅极，所述源、漏区的n+掺杂浓度为0.153×1018／cm3的高浓度施主杂质掺杂，源、漏区通过金属引线与电极连接，所述栅极沟道区域内为0.014×1018／cm3的受主杂质掺杂，栅极扩透隔离区，与硅片衬底连接，且栅氧厚度为上下对称的4‑6nm。本芯片设计时，源、漏之间的间距决定恒流管的低饱和压降，再根据宽输入的要求在扩散的掺杂度等进行最佳参数的控制，以达到低饱和压降且输入电压范围广，电流变化率低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种恒流二极管芯片，主要部件为一个硅片衬底，所述硅片衬底上用隔离带隔离出两个独立的MOS集成块，形成双栅，并接为一体，所述MOS集成块内为源、漏极和栅等距分布的阵列，所述MOS集成块为4个电极，分别为源、漏极和上下两个栅极，双栅器件的上下2个栅极同步工作；其特征在于：所述源、漏区的n+掺杂浓度为0.153×1018／cm3的高浓度施主杂质掺杂，源、漏区通过金属引线与电极连接，所述栅极沟道区域内为0.014×1018／cm3的受主杂质掺杂，栅极扩透隔离区，与硅片衬底连接，且栅氧厚度为上下对称的4‑6nm。
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