[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201310328701.3 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103594574A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黄钟日;斋藤真司;桥本玲;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：第一半导体层、第二半导体层、以及设于第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。第一半导体层包括氮化物半导体，并且是n型的。第二半导体层包括氮化物半导体，并且是p型的。所述发光层包括：第一阱层；设于第一阱层与第二半导体层之间的第二阱层；设于第一和第二阱层之间的第一势垒层；以及在第一势垒层与第二阱层之间接触第二阱层并且包括含Alx1Ga1-x1N（0.1≤x1≤0.35）的层的第一含Al层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：包括氮化物半导体的第一半导体层，所述第一半导体层是n型的；包括氮化物半导体的第二半导体层，所述第二半导体层是p型的；以及设于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层，所述发光层包括：包括氮化物半导体的第一阱层；设于所述第一阱层与所述第二半导体层之间并且包括氮化物半导体的第二阱层；设于所述第一阱层和所述第二阱层之间并且包括氮化物半导体的第一势垒层，所述第一势垒层的带隙能量大于所述第一阱层的带隙能量以及所述第二阱层的带隙能量；以及在所述第一势垒层和所述第二阱层之间接触所述第二阱层并且包括含Alx1Ga1‑x1N(0.1≤x1≤0.35)的层的第一含Al层。
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