[发明专利]制造用于热压键合的键合垫的方法以及键合垫有效
| 申请号： | 201310327642.8 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579155B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | C.谢林;D.博罗维斯基 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 梁冰;杨国治 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造用于热压键合的键合垫（100）的方法（200），其中，所述方法（200）具有提供步骤（202）和沉积步骤（204）。在所述提供步骤（202）中提供一具有半导体结构的载体材料（102），其中，所述载体材料（102）的最外部的边缘层构造成一布线金属层（106），用于电接触所述半导体结构。在所述沉积步骤（204）中将一单层的键合金属层（104）直接在所述布线金属层（106）的表面上进行沉积，用以制造所述键合垫（100）。 | ||
| 搜索关键词： | 键合 沉积 半导体结构 布线金属层 热压键合 制造 键合金属层 载体材料 边缘层 电接触 体材料 单层 外部 | ||
【主权项】：
1.制造一用于热压键合的键合垫（100）的方法（200），其中，所述方法（200）具有下列步骤：提供（202）一具有半导体结构的载体材料（102），其中，所述载体材料（102）的最外部的边缘层构造成一布线金属层（106），用于电接触所述半导体结构，其中，所述布线金属层（106）具有一位于所述布线金属层（106）上的扩散阻挡部；并且将一单层的键合金属层（104）以如下方式直接在所述布线金属层（106）的表面上进行沉积（204）用以制造所述键合垫（100），即，所述扩散阻挡部位于所述键合金属层（104）和所述布线金属层（106）之间。
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