[发明专利]场效应晶体管

摘要

提供一种导通电阻低、且抑制了短沟道效应的横型场效应晶体管。实施方式的场效应晶体管具备第1导电型的第1半导体层（2）、由第2导电型的半导体构成的源极层（3）、由第2导电型的半导体构成的漏极层（4）、以及栅极电极（6）。源极层设置在第1半导体层上。漏极层设置在第1半导体层上，且与源极层相互分离。栅极电极隔着栅极绝缘膜（5）而设置在源极层的与漏极层相对的侧壁上、漏极层的与源极层相对的侧壁上、以及第1半导体层上。栅极电极的与第1半导体层相反侧的上表面比源极层的与第1半导体层相反侧的上表面以及漏极层的与第1半导体层相反侧的上表面更靠近第1半导体层侧。

主权项

一种场效应晶体管，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层；源极层，设置在所述第1半导体层上，由第2导电型的半导体构成；漏极层，设置在所述第1半导体层上，与所述源极层相互分离，由第2导电型的半导体构成；栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在所述源极层的与所述漏极层相对的侧壁上、所述漏极层的与所述源极层相对的侧壁上、以及所述第1半导体层上；栅极金属，由设置在所述栅极电极上的金属构成；绝缘膜，设置于所述栅极电极上的、所述源极层与所述栅极金属之间以及所述漏极层与所述栅极金属之间；以及第2导电型的第2半导体层，在所述第1半导体层的与所述栅极电极相反侧的下表面上，具有比第1半导体层高的第2导电型杂质浓度，所述栅极电极的与所述第1半导体层相反侧的上表面比所述源极层的与所述第1半导体层相反侧的上表面以及所述漏极层的与所述第1半导体层相反侧的上表面更靠近所述第1半导体层侧，所述绝缘膜的介电常数比所述栅极绝缘膜的介电常数低，所述绝缘膜由添加了氟的氧化硅、添加了碳的氧化硅、氮化硼以及有机聚合物中的某一个构成，所述栅极电极由钼、硅化钼以及钨中的某一个构成。