[发明专利]氧化物薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201310282038.8 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103400765A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 施俊斐;董承远 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电有限公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/477 | 分类号： | H01L21/477;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 孙燕娟 |
| 地址： | 215301 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：在有氧氛围内，将所述氧化物薄膜晶体管置于退火炉中进行第一次退火，其中，第一次退火时退火炉中的温度T1的范围为200℃-400℃；以及在第一次退火完成后，将所述氧化物薄膜晶体管置于退火炉中进行第二次退火，其中，第二次退火时退火炉中的温度T2的范围为150℃-250℃，并且所述第二次退火时退火炉中的温度T2低于所述第一次退火时退火炉中的温度T1。本发明的氧化物薄膜晶体管的制造方法通过采用两段式退火工艺，既有利于氧原子扩散进入有源层，又有利于改善氧化物薄膜晶体管的所有膜层的特性。 | ||
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【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在有氧氛围内，将所述氧化物薄膜晶体管置于退火炉中进行第一次退火，其中，第一次退火时退火炉中的温度T1的范围为200℃‑400℃；以及在第一次退火完成后，将所述氧化物薄膜晶体管置于退火炉中进行第二次退火，其中，第二次退火时退火炉中的温度T2的范围为150℃‑250℃，并且所述第二次退火时退火炉中的温度T2低于所述第一次退火时退火炉中的温度T1。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
