[发明专利]半导体模块及其形成方法在审
| 申请号： | 201310235218.0 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103515346A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | F.布鲁奇;D.奇奥拉;E.格里布尔;R.奥特伦巴 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体模块及其形成方法。根据本发明的一个实施例，半导体模块包括第一半导体装置，其具有第一多个引线，包括第一栅极/基极引线、第一漏极/集电极引线和第一源极/发射极引线。该模块进一步包括第二半导体装置和电路板。第二半导体装置具有第二多个引线，包括第二栅极/基极引线、第二漏极/集电极引线和第二源极/发射极引线。电路板具有多个安装孔，其中第一多个引线和第二多个引线中的每个被安装到多个安装孔中的相应一个中。在多个安装孔处，从第一栅极/基极引线到第二栅极/基极引线的第一距离不同于从第一源极/发射极引线到第二源极/发射极引线的第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体模块，包括：第一半导体装置，具有第一多个引线，该第一多个引线包括第一栅极/基极引线、第一漏极/集电极引线和第一源极/发射极引线；第二半导体装置，具有第二多个引线，该第二多个引线包括第二栅极/基极引线、第二漏极/集电极引线和第二源极/发射极引线；以及电路板，具有多个安装孔，其中该第一多个引线和该第二多个引线中的每个被安装到多个安装孔中的相应的一个中，其中在多个安装孔处，从第一栅极/基极引线到第二栅极/基极引线的第一距离不同于从第一源极/发射极引线到第二源极/发射极引线的距离。
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