[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示装置有效
| 申请号： | 201310212002.2 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104218090B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈韦廷;黄俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 刘春生,于宝庆 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供一种薄膜晶体管，包括绝缘基板、栅极、栅极绝缘层、有源半导体层和源电极/漏电极层，其中栅极绝缘层包括：第一氮化硅膜、设于第一氮化硅膜上的第二氮化硅膜、设于第二氮化硅膜上的第三氮化硅膜，第一与第三氮化硅膜的厚度小于第二氮化硅膜的厚度，且第一与第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于第二氮化硅膜中的N‑H键含量。还提供具有上述薄膜晶体管的显示装置。本发明通过改变栅极绝缘层的成膜结构和成膜膜质，改善了其耐击穿和防漏电性能，从而提高了薄膜晶体管的击穿耐压性和可靠性，进而提升了显示装置的良率和品质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 具有 显示装置 | ||
【主权项】：
一种具有改进的栅极绝缘层的薄膜晶体管，包括：绝缘基板；栅极，形成于所述绝缘基板之上；栅极绝缘层，形成于所述栅极之上；有源半导体层，形成于所述栅极绝缘层之上；以及源电极/漏电极层，形成于所述有源半导体层之上，其中所述栅极绝缘层包括：第一氮化硅膜、设置于所述第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜、设置于所述第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜与所述第三氮化硅膜的厚度小于所述第二氮化硅膜的厚度，且所述第一氮化硅膜与所述第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于所述第二氮化硅膜中的N‑H键含量。
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