[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310196987.4 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103325914A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 安部正幸 | 申请（专利权）人： | 台州市一能科技有限公司;安部正幸 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所 33107 | 代理人： | 蔡正保;朱新颖 |
| 地址： | 318000 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，属于半导体技术领域。它解决了现有半导体芯片的各外延层之间存在导电、漏电等现象的问题。该半导体器件包括衬底，在衬底上具有设有n型电极的n型半导体以及包含设有p型电极的p型半导体的半导体芯片，其特征在于，半导体芯片或者半导体芯片内两个或者两个以上的相邻发光领域之间的侧面的各外延结晶层之间的结合处形成一层的绝缘层。本发明通过该绝缘层防止各外延结晶层之间的导电、漏电等现象，进而提高半导体器件的效率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
半导体器件，该半导体器件包括衬底，在衬底上具有设有n型电极的n型半导体以及设有p型电极的p型半导体的半导体芯片，其特征在于，半导体芯片或者半导体芯片内两个或者两个以上的相邻发光领域之间的侧面的各外延结晶层之间的结合处形成一层的绝缘层。
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