[发明专利]一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法及其产品

摘要

本发明公开了一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法，包括：（a）在基片的一个表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层；（c）向种子层表面上涂布光刻胶并填平盲孔，然后执行曝光及显影处理，以使光刻胶仅在盲孔底部的种子层表面上残留；（d）去除未覆盖光刻胶的种子层，而盲孔底部的种子层不受影响；（e）去除残留的光刻胶；（f）向盲孔中填充导电材料完成自底向上的生长；（g）减薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互联过程。本发明还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明，能够以便于操控、低成本、高效率的方式执行通孔电镀过程，并获得填充效果更好的通孔互联结构产品。

主权项

一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤： （a）在基片的一个表面上加工制得盲孔，并使得盲孔的深度不小于其直径； （b）在加工制得盲孔的整个基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层； （c）向所述种子层的表面上涂布光刻胶并填平盲孔，然后对光刻胶执行曝光及显影处理，以使光刻胶仅在处于盲孔底部的种子层表面上残留； （d）对基片上未被光刻胶覆盖的种子层执行去除处理，在此过程中，盲孔底部的种子层由于受残留光刻胶的保护而不受影响； （e）去除盲孔底部残留的光刻胶，露出其底部的种子层； （f）向盲孔中填充导电材料，在此过程中，以盲孔底部的种子层作为引导介质，利用导电材料在盲孔内种子层与阻挡层之间的生长差异性完成自底向上的生长； （g）对基片未加工盲孔的另一表面执行减薄处理，直至盲孔被形成为通孔，由此完成通孔互联过程并获得所需的通孔互联结构产品。