[发明专利]一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件

摘要

一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上，通过在P型基区和N—漂移区之间，N—漂移区与P+集电区之间同时引入N型FS(Field Stop)场截止层，同时在正面场截止层下方和背面场截止层上方同时引入了P型埋层，在满足器件耐压要求的条件下，通过减薄器件厚度将器件的电场由三角形转变为梯形分布。漂移区载流子浓度分布的优化增强器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降和关断损耗。

主权项

一种双面场截止带埋层的RB‑IGBT器件，包括P+集电区（121），位于P+集电区（121）背面的金属阳电极（131），位于P+集电区（121）正面的N—漂移区（91），位于N—漂移区（91）上方的P型基区（41），P型基区（41）表面具有P+欧姆接触区（21）和N+源区（31），与P+欧姆接触区（21）和N+源区（31）表面均接触的金属阴极电极（11）；还包括多晶硅栅电极（61），多晶硅栅电极（61）与P型基区（41）和N+源区（31）之间具有栅氧化层（71）；其特征在于，所述P型基区（41）与N—漂移区（91）之间还具有正面N型场截止层（51），所述P+集电区（121）与N—漂移区（91）之间还具有背面N型场截止层（111）；同时，在正面N型场截止层（51）下方的N—漂移区（91）中具有与正面N型场截止层（51）相接触的正面P型埋层（81），在背面N型场截止层（111）上方的N—漂移区（91）中具有与背面N型场截止层（111）相接触的背面P型埋层（101）。