[发明专利]一种新型SOI-LIGBT器件无效
| 申请号： | 201310159931.1 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103236438A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;孟令锋 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其公开了一种新型SOI-LIGBT器件，解决传统技术中的SOI-LIGBT器件结构带来的栅端电压分布不均匀，造成IGBT器件的开启不一致、关闭不一致的问题。该器件包括N型缓冲区、P型体区、深阱区、栅氧化层；从所述N型缓冲区中引出有漏端电极，从所述P型体区中引出有栅端电极，且栅端电极的端部位于栅氧化层上并与栅氧化层相接触；从所述深阱区引出有源端电极；还包括栅端电极引出结构，所述栅端电极引出结构与所述栅端电极的端部连接，由所述栅端电极引出结构与所述栅端电极构成新的栅端电极。本发明特别适用于PDP扫描驱动芯片中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 soi ligbt 器件 | ||
【主权项】：
一种新型SOI‑LIGBT器件，包括N型缓冲区、P型体区、深阱区、栅氧化层；从所述N型缓冲区中引出有漏端电极，从所述P型体区中引出有栅端电极，且栅端电极的端部位于栅氧化层上并与栅氧化层相接触；从所述深阱区引出有源端电极；其特征在于，还包括栅端电极引出结构，所述栅端电极引出结构与所述栅端电极的端部连接，由所述栅端电极引出结构与所述栅端电极构成新的栅端电极。
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