[发明专利]半导体制程方法与半导体结构有效
| 申请号： | 201310143436.1 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103456682A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·J·培迪;泰伦斯·B·丹尼尔 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可产生具有不同直径的半导体通孔的半导体制程方法，其包含：提供第一材料与不同于该第一材料的第二材料；以及使用蚀刻制程来对第一材料与第二材料进行蚀刻以形成通过第一材料与第二材料的半导体通孔；其中蚀刻制程针对第一材料与第二材料会具有不同的蚀刻率，这样一来半导体通孔会具有不同的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种可以产生具有不同直径的半导体通孔(hole)的半导体制程方法，包含：提供第一材料以及不同于该第一材料的第二材料；以及使用蚀刻制程来对该第一材料与该第二材料进行蚀刻，以形成穿过该第一材料与该第二材料的半导体通孔；其中该蚀刻制程针对该第一材料与该第二材料具有不同的蚀刻率(etching rate)，以使该半导体通孔会有不同的直径。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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