[发明专利]半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法有效
| 申请号： | 201310099965.6 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103369441B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 阿尔方斯·德赫;克里斯蒂安·赫聚姆;马丁·乌策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 李静,张云肖 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法。在一个实施例中，半导体装置包括衬底、可动电极和反电极，其中，可动电极和反电极机械连接至衬底。可动电极被配置为使可动薄膜的内区刚性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 mems 结构 制作 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底；可动电极，所述可动电极包括波纹线，所述波纹线被配置为使所述可动电极的内区刚性；以及第一反电极，其中，所述可动电极和所述第一反电极机械连接至所述衬底，其中，所述波纹线包括多条径向波纹线，所述可动电极进一步包括至少一条周向波纹线，所述径向波纹线位于所述可动电极的内区中，并且其中，所述周向波纹线位于所述可动电极的外区中并且被配置为在所述可动电极的外区中提供柔性结构。
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