[发明专利]基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器

摘要

一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。

主权项

一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括： 一衬底； 一N型电极，制作在衬底的背面； 一N型纵向微纳周期结构，制作在衬底的上方，用于形成电流注入通道和实现纵向光场的扩展； 一N型下波导层，制作在N型纵向微纳周期结构上方，用于形成电流注入通道和纵向光场限制； 一有源区，制作在N型下波导层的上方，提供光增益； 一P型上波导层，制作在有源区的上方，用于形成电流注入通道和纵向光场限制； 一P型上限制层，制作在P型上波导的上方，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制； 一P型欧姆接触层，制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，用于形成欧姆接触； 一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面； 一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，用于形成增益区、横向微纳周期结构两个交叉调谐区注入电极，覆盖于增益区、横向微纳周期结构调谐区的狭槽区域除外，各部分电极彼此断开； 其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。